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| 2008.3.19 |
| ◆ 応用物理学会関西支部セミナー「結晶成長とデバイス応用」 |
■日時：2007年3月19日（水）14:30 - 17:00
■場所：ＪＳＴイノベーションプラザ京都 1Fセミナー室
〒615-8245 京都市西京区御陵大原1-30
阪急京都線桂駅よりバス約10分
桂イノベーションパーク前下車
詳細は以下をご参照下さい
http://www.kyoto.jst-plaza.jp/menu.htm
http://www.kyoto.jst-plaza.jp/access/index.html
■主催：応用物理学会関西支部
■共催：京大GCOEプログラム“光・電子理工学の教育研究拠点形成”
京都ナノテク事業創成クラスター
■プログラム
(1)14:30-14:45 「イントロ」
川上養一，船戸充 (京都大学)
(2)14:45-15:25 「窒化物半導体量子井戸の偏光特性の基板面方位依存性」
山口敦史（金沢工業大学）
(3)15:25-16:05 「非極性面InGaN量子井戸レーザの偏光特性とその制御」
小島一信1，加門弘章1，船戸充1，川上養一1，長濱慎一2，向井孝志2
(1 京都大学, 2 日亜化学工業)
16:05-16:20 - 休憩 -
(4)16:20-17:00 「無極性基板上に成長した青色半導体レーザ」
津田有三，太田征孝，Pablo O. Vaccaro，伊藤茂稔，蛭川秀一，
川口佳伸，藤城芳江，高平宜幸，上田吉裕，高倉輝芳，湯浅貴之
(シャープ)
■参加費：無料
■事前申込制：参加をご希望の方は，事前に下記問い合わせ先までお名前，御所属，連絡先をemail(推奨)またはFAXにて，お知らせください．
■問い合わせ先：船戸 充 (京大院・工・電子)
TEL 075-383-2311, FAX 075-383-2312
E-mail: funato@kuee.kyoto-u.ac.jp |
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