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| 2007.3.12 |
| ◆ 応用物理学会関西支部セミナー「結晶成長とデバイス応用」 |
日時：2007年3月12日（月）11:00 - 15:10
場所：JST研究成果活用プラザ京都 1Fセミナー室
〒615-8245 京都市西京区御陵大原1-30
阪急京都線桂駅よりバス約10分
「桂イノベーションパーク前下車」
※詳細は以下をご参照下さい
http://www.kyoto.jst-plaza.jp/menu.htm
http://www.kyoto.jst-plaza.jp/access/index.htm
主催：応用物理学会関西支部
後援：京都ナノテククラスター
参加費：無料
プログラム：
(1)11:00-11:10「はじめに」
川上 養一 (京都大学)
(2)11:10-11:50「SiC基板上への無極性面AlNのMBE成長」
須田 淳，堀田昌宏，木本恒暢 (京都大学)
(3)11:50-12:30 「半極性InGaN系発光素子の作製と評価」
船戸充1，上田雅也1，川上養一1，
成川幸男2，向井孝志2
(1 京都大学, 2 日亜化学)
12:30-13:30 - 休憩(昼休み) -
(4)13:30-14:20「無極性窒化物半導体の結晶成長ならびにデバイス応用」
岩谷素顕，川島毅士，飯田大輔，上山 智，
天野 浩，赤崎 勇(名城大学)
(5)14:20-15:10「非極性m面窒化物半導体によるLED/LDの開発状況」
岡本國美1，太田裕朗1，秩父重英2，
市原淳1，高須秀視1
(1 ローム，2 東北大学)
問い合わせ先：船戸 充 (京都大学・工・電子)
TEL 075-383-2311, FAX 075-383-2312
E-mail: funato@kuee.kyoto-u.ac.jp
注）赤崎氏の「崎」は本来はつくりの上部分は「立」 |
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